“等离子体化学气相沉积工艺”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8009547个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]等离子体增强化学气相沉积电极板装置及沉积装置-CN201220629223.0有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置及沉积装置。该等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，其中等离子体增强化学气相沉积电极板上设置有用于将基板顶离或放在等离子体增强化学气相沉积电极板上的移动定位单元，等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：控制移动定位单元的表面电压的移动定位单元电压控制单元，用于使移动定位单元在基板上产生与基板平行的电场。从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。
等离子体增强化学沉积极板装置

[发明专利]利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法-CN02141383.5有效
发明人：林辉巨 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2002-07-09 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法，于一等离子体化学气相沉积腔体中，以等离子体辅助化学反应，在基板上形成薄膜。然后，在取出基板后将清洁气体导入腔体中，以去除腔体内的附着物。随后，在下一批基板置入腔体前施行一预沉积制作工艺，以隔绝清洁过程的污染物。然后，施行一放电等离子体制作工艺，以降低预沉积薄膜表面累积电荷的数量。
利用等离子体化学沉积薄膜方法

[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置和金刚石的合成方法-CN201810408710.6在审
发明人：马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 -专利权人： FD3M公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线作为耦合天线。本申请还公开了一种金刚石的合成方法，采用等离子体天线作为耦合天线，通过微波等离子体化学气相沉积方法合成金刚石。本申请还公开了微波等离子体化学气相沉积装置在单晶金刚石合成中的应用。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线进行耦合，可以极大的提高天线的效率。
微波等离子体化学气相沉积等离子体天线金刚石合成耦合天线申请单晶金刚石耦合天线应用

[发明专利]针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔及化学气相沉积方法-CN201510375630.1有效
发明人：范荣伟;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔及化学气相沉积方法。针对晶圆晶边的化学气相沉积工艺腔包括封闭真空腔室、安装在所述封闭真空腔室的侧壁上的等离子体喷头、用于对所述等离子体喷头进行供电的电源、布置在所述封闭真空腔室内用于加热晶圆的加热板、以及布置在所述封闭真空腔室内的等离子体挡板其中，所述等离子体挡板处于所述加热板上方。在晶圆被布置在所述加热板上的状态下，所述等离子体挡板遮挡晶圆而仅仅暴露晶圆的晶圆边缘。
针对晶圆晶边化学沉积工艺方法

[实用新型]等离子辅助化学气相沉积设备-CN201120201024.5有效
发明人：杨利坚;高松年;卢伟贤;庄一鸣;易敏龙 -专利权人：香港生产力促进局
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子辅助化学气相沉积设备，其包括有化学气相沉积真空室，该化学气相沉积真空室通过法兰连接有真空系统，所述化学气相沉积真空室的两侧室壁各设有相对的能产生等离子体、且能通过调控磁铁分布调控磁场以改变等离子体强度与分布的可调式磁控等离子源平板电极，该等离子源平板电极连接有中频电源，所述化学气相沉积真空室顶部设有二维工件转台。使用本实用新型等离子辅助化学气相沉积设备进行的表面改性工艺不涉及任何废水的产生及排放，符合环保的生产原则。表面改性工艺可赋予样品表面附加功能，如防指纹、防雾、防静电等，提高产品的附加价值。
等离子辅助化学沉积设备

[发明专利]太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺-CN200910198972.5无效
发明人：张忠卫;许卓 -专利权人：上海太阳能科技有限公司
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺，是将硅片载于反应舟中置于平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备内，向平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备通入硅烷和氨气，通过微波激发等离子体在硅片表面反应生成氮化硅减反射膜本发明的太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺由于NF3气体在等离子体环境下生成的F-离子会和氮化硅反应生产粉末状SiF4，通过泵抽走，从而达到了清洗出气口的效果。同时，残余的F-离子对硅片表面有钝化效果。
太阳电池增强等离子体化学沉积工艺

[发明专利]一种防止高密度等离子体化学气相沉积对金属损伤的方法-CN200610025630.X无效
发明人：胡正军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种防止高密度等离子体化学气相沉积对金属损伤的方法，在集成电路制造工艺中，完成对金属的刻蚀后，采用等离子体辅助化学气相淀积的方法在刻蚀表面淀积一层二氧化硅，最后再进行高密度等离子体淀积。本发明通过引入淀积薄层介质来减少高密度等离子体化学气相沉积过程中对金属的损伤，以四乙基原硅酸盐为前驱体用等离子体辅助化学气相淀积制备二氧化硅层，具有良好的侧壁覆盖性，从而对金属提供更好的保护。
一种防止高密度等离子体化学沉积金属损伤方法

[发明专利]一种制备薄膜太阳能电池p-n结的方法-CN201210128151.6无效
发明人：刘明海;程莉莉;王士才;王曼星 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备薄膜太阳能电池p-n结的方法，包括：清洗基片，并用氮气干燥，将基片置于等离子体化学气相沉积系统的腔体内的基片台上，将含锡和硫的原料分别放于两个坩埚内，并放入等离子体化学气相沉积系统的原料蒸发装置中，关闭腔体，并抽真空，通入氩气，以产生氩气等离子体，利用氩气等离子体对等离子体化学气相沉积系统的腔体和腔体中的基片进行清洗处理，对基片进行加热，在清洗后的基片表面制备n型和p型锡硫薄膜，在等离子体化学气相沉积系统的腔体中对制备出的本发明制备工艺简单，能满足大面积、高速度沉积的要求。
一种制备薄膜太阳能电池方法

[发明专利]耐磨耗介电层的制作方法-CN200510052127.9无效
发明人：赖委舜;胡书华;黄冠瑞;潘锦昌;许渊钦 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：接着至少进行一等离子体辅助化学气相沉积工艺，以于该基底的表面沉积一介电层，且该等离子体辅助化学气相沉积工艺利用一高频－低频等离子体交错方式进行。最后进行一各向异性蚀刻工艺，以于该介电层中形成多个对应于这些连接垫的开口，且各开口的侧壁呈向外倾斜状。
耐磨耗介电层制作方法

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置-CN201210483923.8有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。
等离子体增强化学沉积极板装置方法

[发明专利]发光二极管的封装结构与其制造方法-CN200710089623.0无效
发明人：胡振宇;蔡升颖;王亲民 -专利权人：奇菱科技股份有限公司
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管的封装结构，至少包含基板、发光二极管、等离子体化学气相沉积层以及透光材料层，其中基板具有多个接点；发光二极管设置于基板上且电性连接至这些接点；等离子体化学气相沉积层设置于发光二极管上，且等离子体化学气相沉积层的折射率是小于发光二极管的折射率；透光材料层设置于等离子体化学气相沉积层上，且透光材料层的折射率是小于等离子体化学气相沉积层的折射率。
发光二极管封装结构与其制造方法

[发明专利]N型掺杂硅薄膜、其制备方法和包括其的太阳能电池-CN201610083958.0有效
发明人：彭文博;刘大为;高虎 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2016-02-06 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该制备方法包括以下步骤利用等离子体增强化学气相沉积工艺在位于反应室的太阳能电池半成品上沉积形成N型掺杂硅薄膜，等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括硅源气体、氢气和掺杂气体，其中，氢气与硅源气体流量比为801～1501，实施等离子体增强化学气相沉积工艺时，太阳能电池半成品的表面温度为50～70℃、等离子体增强化学气相沉积工艺的辉光功率密度为0.8W/cm2～1.5W/cm2，反应气压为500Pa～750Pa
掺杂薄膜制备方法包括太阳能电池

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法-CN201210001348.3有效
发明人：陈强;杨丽珍;王正铎;刘忠伟;张春梅;张受业 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率，进而提高单体裂解率，增加空间里的活性基团浓度，大大提高薄膜的沉积速率，并可降低沉积温度。
一种等离子体增强化学沉积微晶硅薄膜方法

[发明专利]等离子体化学气相沉积系统及方法-CN201811069708.7有效
发明人：孙元成;宋学富;杜秀蓉;张晓强;钟利强;杨晓会 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明是关于一种等离子体化学气相沉积系统。该沉积系统包括等离子体沉积装置，该等离子体沉积装置包括等离子体炬和沉积室。该沉积系统还包括：尾气循环装置、新鲜气体供给装置和在线监控装置，该尾气循环装置一端连接于沉积室的排气口，另一端连接于等离子体炬的进气口；该新鲜气体供给装置，连接于等离子体炬的进气口；该在线监控装置用于实时检测气体组分、温度、沉积室压力及沉积基体温度。本发明还提出了一种等离子体化学气相沉积方法。本发明方法将等离子体化学气相沉积系统排放的气体经简单处理后进行气体循环使用，克服现有技术气体消耗较大的问题，大大降低气体成本，同时保证沉积系统的稳定性。
等离子体化学沉积系统方法

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法-CN201910620314.4有效
发明人：黄邦斗;刘泽慧;章程;邵涛 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括，金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体，先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体，然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体，发生化学气相沉积反应；或，先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离，然后向电离后的气体中通入金属前驱体，发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法，其所通过金属前驱体不参与电离，避免金属对等离子体的抑制作用，从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。
一种等离子体增强化学沉积金属薄膜制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条